SIHB12N50E-GE3
1个N沟道 耐压:500V 电流:10.5A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
SIHB12N50E-GE3商品编号
C3009878商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 380mΩ@6A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 886pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥11.31
200+￥4.38
500+￥4.23
1000+￥4.15￥4150
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
0
江苏仓
0
SMT仓
0
购买数量(1000个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个1000个/圆盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
