- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHB068N60EF-GE3
具有快速体二极管的N沟道MOSFET，采用第四代E系列技术，低品质因数、低有效电容，可降低开关和传导损耗
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB068N60EF-GE3
- 商品编号
- C3009875
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.628nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
AON3611采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补型MOSFET可用于逆变器及其他应用。
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低有效电容(Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 有雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)