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SIHB186N60EF-GE3
EF系列带快速体二极管的功率MOSFET
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- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数 (FOM) R(on) × C(g)。 低有效电容 (C(O(er)))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB186N60EF-GE3
- 商品编号
- C3009867
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 193mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.081nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数（FOM）Ron × Qg
- 低有效电容（Co(er)）
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 太阳能（光伏逆变器）