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SIJ188DP-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:92.4A
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- 描述
- 特性：TrenchFET第四代功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ188DP-T1-GE3
- 商品编号
- C3009863
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、增强型器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK 封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料提供了高隔离能力和管芯与外部散热器之间的低热阻。这种隔离效果相当于在标准 TO - 220 产品中使用 100 微米的云母屏障。FULLPAK 封装可使用单个夹子或单个螺钉固定在散热器上。
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS - Qoss品质因数进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 初级侧开关
- DC/DC转换器
- 电机驱动开关