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IRL640SPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:17A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它都具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRL640SPBF
- 商品编号
- C3009864
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
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