- 引脚图
- 焊盘图
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SIHP068N60EF-GE3
N沟道 MOSFET,电流:41A,耐压:600V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP068N60EF-GE3
- 商品编号
- C3009600
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.628nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低有效电容 (Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 电机驱动
- 电池充电器
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