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IRF9Z24SPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:11A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再加上功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用场景。D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9Z24SPBF
- 商品编号
- C3009862
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
~~- 表面贴装-卷带包装供货-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单