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SIHG105N60EF-GE3
N沟道 耐压:600V 电流:19A
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- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数（FOM）Rₒₙ × Qg。 低有效电容 (Cₒ(ₑᵣ))。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定（UIS）。应用：服务器和电信电源。 开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG105N60EF-GE3
- 商品编号
- C3009697
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 7.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.804nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和极高的器件耐用性。 TO-220AB封装在功耗水平约达50 W的所有商用-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB封装的低热阻和低成本使其在整个行业得到广泛认可。
商品特性
- 第四代E系列技术
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低有效电容(Co(er))
- 降低开关和传导损耗
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 太阳能(光伏逆变器)