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IRF9610PBF-BE3

P沟道,电流:-1.0A,耐压:-200V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF9610PBF-BE3
商品编号: C3009544
商品封装: TO-220-3
包装方式: 编带
商品毛重: 2.695克(g)

商品参数

商品概述

功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺,实现了极低的导通电阻,同时具备高跨导和极高的器件耐用性。 TO-220AB封装在功耗水平约达50 W的所有商用-工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB封装的低热阻和低成本使其在整个行业得到广泛认可。

商品特性

-动态dv/dt额定值-P沟道-快速开关-易于并联-驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	1.8A
	导通电阻(RDS(on))	3Ω@10V
	耗散功率(Pd)	20W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	11nC@10V
	输入电容(Ciss)	170pF
	反向传输电容(Crss)	15pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	50pF