IRFBE30PBF-BE3
N沟道,电流:4.1A,耐压:800V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBE30PBF-BE3
- 商品编号
- C3009594
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO-220AB封装是所有商业和工业应用在功耗水平达到约50 W时普遍首选的封装。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 工作温度175 °C
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS指令2002/95/EC