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SIHG186N60EF-GE3

N沟道,电流:18A,耐压:600V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHG186N60EF-GE3
商品编号: C3009326
商品封装: TO-247-3
包装方式: 编带
商品毛重: 7.789克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET技术是Vishay先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。功率MOSFET设计采用高效的几何结构和独特的工艺，实现了极低的导通电阻，同时具备高跨导和出色的器件耐用性。 DPAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

商品特性

~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-表面贴装(IRFR9220、SiHFR9220)-直引脚(IRFUFU9220、SiHFU9220)-提供卷带包装-P沟道-快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	193mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	156W
	阈值电压(Vgs(th))	5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	32nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.081nF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	52pF