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IRL530PBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功耗水平约达50 W的商业-工业应用，TO-220AB封装是普遍首选。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRL530PBF
- 商品编号
- C3009039
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约为50 W的所有商业 - 工业应用中是普遍首选。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 动态dV/dt额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
- 175 °C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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