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IRF540PBF-BE3
1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装在功率耗散水平约为50W的所有商业和工业应用中普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF540PBF-BE3
- 商品编号
- C3009223
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 560pF |
商品特性
- 80V/80A，VGS = 10 V 时，RDS(ON) = 7 mΩ（典型值）
- 超低导通电阻
- 出色的 dv/dt 能力
- 快速开关，具备完整雪崩额定值，经过 100% 雪崩测试
- 工作温度达 175°C
- 提供无铅环保产品
应用领域
- 大电流开关应用
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