IRFIB7N50APBF
N沟道 MOSFET,电流:6.6A,耐压:500V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFIB7N50APBF
- 商品编号
- C3008940
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
UTC 7N70-TC是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 1.7Ω @ VGS = 10V，ID = 3.5A
- 高开关速度
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效AC-DC转换器
- 桥接电路
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