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IRFIB7N50APBF
N沟道 MOSFET,电流:6.6A,耐压:500V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFIB7N50APBF
- 商品编号
- C3008940
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品概述
UTC 7N70-TC是一款高压功率MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效AC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用。
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
- 规定了有效输出电容Coss
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 高压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s,f = 60 Hz)
- SMBJ18CAHE3_A/H
- CRCW0603560RJNEA
- CRCW06031K20FKEAC
- BYS10-45-E3/TR3
- BZX84C3V9-E3-08
- K3023P
- CRCW0805470RFKEAHP
- BFC238340104
- CRCW0603470KJNEA
- 298D476X0010P2T
- RH05012R00FE02
- BYV28-200-TR
- S2B-E3/52T
- PR02000202201JA100
- CRCW08051K58FKEA
- 293D225X9016A2WE3
- MMU01020C8200FB300
- CRCW2010150KFKEF
- TNPW040216K0BEED
- CRCW120610M0JNEA
- BYS10-25-E3/TR