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IRFZ34PBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFZ34PBF

1个N沟道 耐压:60V 电流:30A

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描述
第三代功率MOSFET提供快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于功率耗散水平约为50W的所有商业-工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
IRFZ34PBF
商品编号
C3008985
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)100pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)600pF

商品特性

  • 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
  • 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
  • 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
  • 规定了有效输出电容Coss

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源
  • 高速功率开关
  • 高压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s,f = 60 Hz)

数据手册PDF