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NP9926ASR-G
双N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- NP9926A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP9926ASR-G
- 商品编号
- C3007978
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.018克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 额定温度高达+175℃，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)，最大限度降低功率损耗
- 低Qg，最大限度降低开关损耗
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准（如AEC-Q中所引用），具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号（DMTH6005LK3Q），其数据手册单独提供
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器