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NP3400MR-M-G
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- NP3400采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP3400MR-M-G
- 商品编号
- C3007979
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
NCE60H10K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 漏源电压 = 60V，漏极电流 = 100A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 5.5 mΩ（典型值：4.8 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面
- 专为转换器和电源控制设计
- 高雪崩能量，稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的封装
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源