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NP12N10G-G
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP12N10G-G
- 商品编号
- C3008050
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NP3404AMR采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和用于实现超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 7 A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 16 mΩ @栅源电压（VGS） = 10 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 20 mΩ @栅源电压（VGS） = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关