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NP4953CSR-G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NP4953CSR-G

P沟道 耐压:30V 电流:5.5A

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描述
NP4953C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
品牌名称
natlinear(南麟)
商品型号
NP4953CSR-G
商品编号
C3007982
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.114克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)700pF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)120pF

商品概述

NP9926A采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下,能提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20 V,漏极电流(ID) = 6.5 A
  • 当栅源电压(VGS) = 2.5 V时,RDS(ON)(典型值) = 19 mΩ
  • 当栅源电压(VGS) = 4.5 V时,RDS(ON)(典型值) = 14 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF