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NP4953CSR-G
P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
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- 描述
- NP4953C采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP4953CSR-G
- 商品编号
- C3007982
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
NP9926A采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，能提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V, \quad ID = -5.5 A
- RDS(ON)(典型值)= 50mΩ \quad @VGS = -4.5V
- RDS(ON)(典型值)= 40 m Ω @ VGS = -10 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关