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NP2300VR-G
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- NP2300采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2300VR-G
- 商品编号
- C3008009
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V
- 漏极电流（ID） = 12 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 12.0 mΩ（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 15.5 mΩ（栅源电压VGS = 4.5 V）