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NP2302DVR-G
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和高密度单元设计，以实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2302DVR-G
- 商品编号
- C3008033
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V,漏极电流ID = 3 A
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时,导通电阻RDS(ON)(典型值) = 41 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)(典型值) = 31.3 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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