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NP3401VR-G
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- NP3401采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP3401VR-G
- 商品编号
- C3008045
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下领域： 发动机管理系统 车身控制电子系统 DC-DC转换器
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -4 A
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 53 mΩ(栅源电压VGS=-4.5V时)
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 73 mΩ(栅源电压VGS=-2.5V时)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关
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