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NP2301AVR-G
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP2301AVR-G
- 商品编号
- C3007990
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 561pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品概述
沟槽功率AlphaSGT™技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
商品特性
- 沟槽功率AlphaSGT™技术
- 低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
应用领域
- 高效电源
- 次级同步整流器