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MP3205
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
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- 描述
- MP3205是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于同步整流、逆变器系统、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP3205
- 商品编号
- C2980269
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 210W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源（SMPS）要求。
商品特性
- VDS = 55 V,ID = 110 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 9 mΩ
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 12V逆变器系统的电源管理
- 同步整流