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MPF7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- MPF7N65采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF7N65
- 商品编号
- C2980271
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.35Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 891pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
MD20N60是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 7 A,漏极电流ID = 650 V
- 导通电阻RDS(on)(典型值) = 1.1 Ω @ 栅源电压VGS = 10V,漏极电流ID = 3.5A
- 低反向传输电容Crss:10pF@25V
- 快速开关
- 增强的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)