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MP18N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- MP18N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管是适用于开关电源、高速开关及通用应用的理想器件。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP18N20
- 商品编号
- C2980282
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 450pF |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源要求。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷，降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
- 功率因数校正 (PFC)
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)