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MPG100N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPG100N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:100A

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描述
MPG100N06采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPG100N06
商品编号
C2980288
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)107W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC
输入电容(Ciss)3nF
反向传输电容(Crss)240pF
工作温度-40℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)270pF

商品特性

  • 国际标准封装JEDEC TO-247 AD
  • 低导通电阻(RDS(ON))的高压功率MOSFET(HDMOST)工艺
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 具备非钳位电感开关(UIS)额定值
  • 低封装电感(< 5nH),易于驱动和保护

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备

数据手册PDF