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MP9N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:6A
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- 描述
- MP9N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP9N20
- 商品编号
- C2980293
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 高阻断电压
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容器放电应用
- 脉冲电路
- 激光和 X 射线发生系统
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