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MP9N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:6A
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- 描述
- MP9N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MP9N20
- 商品编号
- C2980293
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
MP9N20是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管是适用于开关电源、高速开关及通用应用的理想器件。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 9 A,栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 320 mΩ
- 快速开关
- 低反向传输电容(Crss)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关电源
- IRF840
- ESP32-S3-WROOM-1U-N4
- ESP32-S3-WROOM-1U-N8
- ESP32-S3-WROOM-1U-N16
- ESP32-S3-MINI-1U-N8
- ESP32-S3-WROOM-1U-N8R8
- ESP32-C3-WROOM-02D-N4
- ESP32-C3-WROOM-02UD-N4
- ESP32-S2-SOLO-N8
- ESP32-MINI-1U-N4
- ESP32-MINI-1-N4
- ESP32-PICO-MINI-02-N8R2
- T405-600T
- MSS1P4-M3/89A
- BZD27C8V2P-E3-08
- SS5P6-M3/86A
- VLMP20D2G1-GS08
- VSSA3L6S-M3/61T
- MB2S-E3/80
- GL41A-E3/97
- SMAJ30CA-E3/5A