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IRF840
N沟道,电流:8A,耐压:500V
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- 描述
- IRF840采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF840
- 商品编号
- C2980294
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 134W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
MP18N20 是采用先进 MOSFET 技术制造的硅 N 沟道增强型 MOSFET，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关，低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 改善 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
- 高频开关电源
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