温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MPG200N08
80V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- MPG200N08采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPG200N08
- 商品编号
- C2980292
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 257nC | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源极电压VDS = 80V,漏极电流ID = 200A;在栅源极电压VGS=10V时,导通电阻RDS(ON) < 4mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻Rdson
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装,散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源