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MPG200N08实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MPG200N08

80V N沟道功率MOSFET

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描述
MPG200N08采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可应用于多种领域。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
MPG200N08
商品编号
C2980292
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.4克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
耗散功率(Pd)270W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)257nC
输入电容(Ciss)13.2nF
反向传输电容(Crss)810pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

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