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MD33N25
N沟道,电流:33A,耐压:250V
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- 描述
- MD33N25是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD33N25
- 商品编号
- C2980283
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品概述
IRF740采用先进的技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)，可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS=400V，漏极电流ID=10A
- 低导通电阻
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 适配器和充电器