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MPF8N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
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- 描述
- 特性：VDS = 650V，ID = 8A。 RDS(ON) = 1.4Ω (Max.)，VGS = 10V，ID = 4A。 快速开关。 100%雪崩测试。 改善的dv/dt能力。 符合RoHS和无卤要求。应用：开关模式电源 (SMPS)。 不间断电源 (UPS)
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPF8N65
- 商品编号
- C2980285
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 DC-DC转换器 车身控制电子系统
商品特性
- VDS = 650 V,ID = 8 A
- RDS(ON) = 1.4 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 4 A
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS和无卤标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)