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MD23N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:23A
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- 描述
- MD23N50是一款硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD23N50
- 商品编号
- C2980278
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MP150N08采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 80 V，漏极电流ID = 150 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.0mΩ
- 高密度单元设计，可降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源