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MD23N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:23A
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- 描述
- MD23N50是一款硅N沟道增强型MOSFET，采用先进的MOSFET技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MD23N50
- 商品编号
- C2980278
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MP150N08采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 500 V,VGS = 10 V、ID = 23 A时,Rdson < 260 mΩ(典型值:220 mΩ)
- 快速开关
- 低Crss(典型值18 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源