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IRF740
1个N沟道 耐压:400V 电流:10A
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- 描述
- IRF740采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF740
- 商品编号
- C2980280
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.162nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
全新的MDmesh M6技术融合了对知名且成熟的SJ MOSFET MDmesh系列的最新改进。它将出色的单位面积导通电阻（RDS(on)）改善与现有的最有效的开关特性之一相结合，同时为用户带来友好体验，以实现终端应用的最高效率。
商品特性
- 降低开关损耗
- 与上一代产品相比，单位面积导通电阻（RDS(on)）更低
- 栅极输入电阻低
- 100%经过雪崩测试
- 齐纳保护
- 借助额外的驱动源极引脚，具备出色的开关性能
应用领域
- 开关应用