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MDT15N10
N沟道功率MOSFET 1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- MDT15N10采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可应用于多种领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT15N10
- 商品编号
- C2980273
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
~~- 超低栅极阻抗-雪崩电压和电流特性全面表征-最大栅极额定电压VGS为20V
应用领域
- 隔离式DC-DC转换器的同步整流MOSFET-低功率电机驱动系统