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ASDM60N80KQ-R
耐压:60V 电流:80A 停产
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- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM60N80KQ-R
- 商品编号
- C2972866
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 232pF |
商品概述
STAC2942F是一款采用镀金工艺的N沟道MOS场效应射频功率晶体管，适用于最高250 MHz的50 V直流大信号应用。
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用出色的封装,散热性能优异
应用领域
-脉冲宽度调制(PWM)-负载开关