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WNM2096-3/TR
N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- WNM2096是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM2096-3/TR
- 商品编号
- C2931326
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 3.0S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）（VDS = 600V）
- 增强型：Vth = 2.0至4.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）
应用领域
- 开关稳压器应用