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HYG065N07NS1MF
N沟道 耐压:70V 电流:100A
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- 描述
- 特性：70V/100A，RDS(ON) = 5.5mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065N07NS1MF
- 商品编号
- C2931345
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WNM4009是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM4009无铅且无卤。
商品特性
~~- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻,适用于更高的直流电流-小封装SOT-23
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换电路-电源开关-负载开关-充电
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