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HY1603C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:88A
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- 描述
- 特性：30V/60A，RDS(ON) = 4.1mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1603C2
- 商品编号
- C2931347
- 商品封装
- PPAK-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.312nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些双N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
商品特性
- Q1：N沟道
- 7.0 A、30 V，VGS = 10 V时，RDS(on) = 0.028 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(on) = 0.040 Ω
- Q2：P沟道
- -5 A、-30 V，VGS = -10 V时，RDS(on) = 0.052 Ω
- VGS = -4.5 V时，RDS(on) = 0.080 Ω
- 开关速度快
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和处理能力
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