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HYG065P03LQ1D
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- 特性：30V/-70A，RDS(ON) = 5.9mΩ (typ.) @ VGS = -10V，RDS(ON) = 9.1mΩ (typ.) @ VGS = -4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：直流/直流转换器中的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065P03LQ1D
- 商品编号
- C2931346
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.527克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.595nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 446pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 531pF |
商品特性
- 70V/100A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 5.5 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 开关应用-逆变器系统电源管理-电机控制