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HYG012N03LR1B
N沟道 耐压:30V 电流:250A
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- 描述
- 特性：30V/250A。RDS(ON)= 1.2 mΩ (典型值) @VGS = 10V。RDS(ON)= 1.4 mΩ (典型值) @VGS = 4.5V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无铅和环保器件 (符合RoHS)。应用：电池管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG012N03LR1B
- 商品编号
- C2931343
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 187.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.123nF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 809pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WNM2030A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2030A为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-723
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关