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WPM3033-8/TR
P沟道 耐压:30V 电流:38A
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- 描述
- WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM3033-8/TR
- 商品编号
- C2931333
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 43.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.686nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 417pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 476pF |
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