温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WPM6207-3/TR
P沟道 耐压:20V 电流:5.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM6207-3/TR
- 商品编号
- C2931334
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.702nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WPM3033 为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小型封装 PDFN3X3-8L
应用领域
- DC/DC 转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关