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WPM6207-3/TR
P沟道 耐压:20V 电流:5.7A
- 描述
- WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM6207-3/TR
- 商品编号
- C2931334
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.702nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
WPM6207是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM6207为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻,适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-23-3
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统