温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM3060-6/TR
N沟道 耐压:30V 电流:14.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- WNM3060是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3060-6/TR
- 商品编号
- C2931328
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 184pF |
商品概述
SuperMESH系列是通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最苛刻的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了包括创新型MDmesh产品在内的全系列高压MOSFET。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻
- 极低的阈值电压
- 小型DFN2x2-6L封装
应用领域
-DC/DC转换器-电源转换器电路-便携式设备的负载/电源开关