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WNM5002-3/TR
N沟道 耐压:50V 电流:0.5A
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- 描述
- WNM5002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于小信号开关
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM5002-3/TR
- 商品编号
- C2931330
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
WNM5002是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品WNM5002无铅且无卤。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻,可承受更高直流电流
- 人体模型静电放电(HBM ESD)保护能力 >2 kV
- 采用SOT - 23小封装
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤等
- 电源转换器电路
- 便携式设备的负载/电源开关