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WPM2093-3/TR
P沟道 耐压:20V 电流:0.91A
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- 描述
- WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2093-3/TR
- 商品编号
- C2931332
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 910mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 104pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 40V/120A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.0 mΩ（典型值）
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
- DC/DC电源管理
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