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NCV8412ADDR2G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCV8412ADDR2G

具备浪涌电流管理功能的自保护型低端驱动器

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描述
NCV8412是一款三端保护型低边智能分立FET。其保护功能包括Δ热关断、过流、过温、静电放电(ESD)保护,以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件还可通过栅极引脚提供故障指示
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NCV8412ADDR2G
商品编号
C2902156
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)5.9A
属性参数值
上升时间(tr)20us
下降时间(tf)37us
特性短路保护(SCP);过热保护(OPT);过压保护(OVP)
工作温度-40℃~+150℃

商品特性

  • 短路保护及浪涌电流管理
  • 温差关断
  • 带自动重启的热关断
  • 过电压保护
  • 集成过电压保护和电感开关箝位
  • ESD保护
  • dV/dt鲁棒性
  • 模拟驱动能力(逻辑电平输入)
  • NCV前缀适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101 Grade 1标准并支持PPAP
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 切换多种阻性、感性和容性负载
  • 可替代机电继电器和分立电路
  • 汽车/工业

数据手册PDF

优惠活动

  • 8

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    (2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个2500个/圆盘

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