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NCD57201DR2G
NCD57201DR2G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCD57201DR2G
- 商品编号
- C2902040
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 上升时间(tr) | 13ns | |
| 下降时间(tf) | 8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
NCx57201是一款高压栅极驱动器，包含一个非隔离式低端栅极驱动器和一个电流隔离式高端或低端栅极驱动器。它可以直接驱动半桥配置中的两个IGBT。隔离式高端驱动器可由隔离电源供电，也可通过自举技术由低端电源供电。 高端栅极驱动器的电流隔离功能，可确保工作电压高达800 V的IGBT在高dv/dt的高功率应用中可靠开关。经过优化的输出级可降低IGBT损耗。其特性包括两个独立输入、精确的不对称欠压锁定（UVLO）以及短且匹配的传播延迟。NCx57201的VDD/VBS工作电压最高可达20 V。
商品特性
- 高峰值输出电流（+1.9 A / -2.3 A）
- 低输出电压降，增强IGBT导通性能
- 浮动通道，支持最高+800 ΔV的自举操作
- 共模瞬态抗扰度（CMTI）高达100 kV/μs
- VS负摆幅至 -800 V时仍能可靠工作
- VDD和VBS电源电压范围最高可达20 V
- 支持3.3 V、5 V和15 V逻辑输入
- 高端和低端具有不对称欠压锁定阈值
- 匹配传播延迟为90 ns
- 内置20 ns最小脉冲宽度滤波器（或输入噪声滤波器）
- 非反相输出信号
- 采用NCV前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 风扇、泵
- 家用电器
- 消费电子产品
- 通用半桥应用
- 汽车应用