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NCV57090ADWR2G

隔离式大电流IGBT/MOSFET栅极驱动器

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描述: NCx57090y、NCx57091y是高电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器，具备5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A/D/F版本）、负电源（B版本）以及独立的高低（OUTH和OUTL）驱动器输出（C/E版本）。驱动器可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用宽体SOIC - 8封装。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NCV57090ADWR2G
商品编号: C2902049
商品封装: SOIC-8-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

商品概述

NCx57090y、NCx57091y是高电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器，具备5 kVrms内部电流隔离功能，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A/D/F版本）、负电源（B版本）以及独立的高低（OUTH和OUTL）驱动器输出（C/E版本）。驱动器可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用宽体SOIC - 8封装。

商品特性

高峰值输出电流（+6.5 A / -6.5 A）
低钳位电压降，无需负电源即可防止栅极误开启（A/D/F版本）
短传播延迟且匹配精确
短路时IGBT/MOSFET栅极钳位
IGBT/MOSFET栅极有源下拉
严格的欠压锁定（UVLO）阈值，实现偏置灵活性
宽偏置电压范围，包括负VEE2（B版本）
3.3 V、5 V和15 V逻辑输入
5 kVrms电流隔离
高瞬态抗扰度
高电磁抗扰度
适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NCV前缀；符合AEC - Q100标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

应用领域

电机控制
不间断电源（UPS）
汽车应用
工业电源
太阳能逆变器

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	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	5000
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3.1V~20V
	拉电流(IOH)	6.5A
	灌电流(IOL)	6.5A

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃@(Ta)
	上升时间(tr)	13ns
	下降时间(tf)	13ns
	传播延迟 tpLH	90ns
	传播延迟 tpHL	90ns
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	驱动侧工作电压	12.4V~30V