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HYG028N10NS1B
1个N沟道 耐压:100V 电流:230A
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- 描述
- 特性：100V/230A，RDS(ON) = 2.6mΩ (typ.) @ VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）。应用：功率开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG028N10NS1B
- 商品编号
- C2886382
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 242pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.454nF |
商品概述
WSP4812是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4812符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量（EAS）保证
- 提供环保型器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）和显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
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